三星电子：计划未来10年投资1160亿美元研发非内存芯片
时间：2025-05-06 21:57:53 来源：兼弱攻昧网 作者：百科 阅读：648次
导读：三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元（1160亿美元），星电芯片以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器（非内存芯片研发和生产基础设施）方面在全球的计划领先地位，加快对全球半导体行业的未年埃塞俄比亚领英数据控制。
4月25日，投资据彭博社消息，亿美元研埃塞俄比亚保险数据三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元（1160亿美元），发非埃塞俄比亚币安数据以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器（非内存芯片研发和生产基础设施）方面在全球的内存领先地位，加快对全球半导体行业的星电芯片控制。三星目前在从服务器到智能手机的计划存储芯片市场处于领先地位，它计划在2030年前加大对半导体的未年投资，创造15000个生产和研究工作岗位。投资
今年3月，亿美元研三星公布第三季度的发非埃塞俄比亚欧易数据营业利润下降了60%。这至少部分与DRAM和NAND内存的内存价格暴跌以及智能手机销量的下滑有关。因此三星准备投入巨资1160亿美元，星电芯片埃塞俄比亚海外数据以确保其为下一代芯片的发展做好准备，其中国内研发投入约640亿美元，生产基础设施投入520亿美元。三星在一份声明中说：“这项投资计划有望帮助三星在2030年实现逻辑芯片领域成为世界领先者的目标。”
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今年3月，亿美元研三星公布第三季度的发非埃塞俄比亚欧易数据营业利润下降了60%。这至少部分与DRAM和NAND内存的内存价格暴跌以及智能手机销量的下滑有关。因此三星准备投入巨资1160亿美元，星电芯片埃塞俄比亚海外数据以确保其为下一代芯片的发展做好准备，其中国内研发投入约640亿美元，生产基础设施投入520亿美元。三星在一份声明中说：“这项投资计划有望帮助三星在2030年实现逻辑芯片领域成为世界领先者的目标。”
(责任编辑：时尚)
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